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燃燒法全自動碳氮分析儀

PrimacsSNC-100是靈活的固體/液體樣品分析儀,內(nèi)置100位自動進樣器用于測定氮(N/蛋白質(zhì),總碳(TC,總有機碳(TIC)總無機碳(TIC)和總有機碳(TOC,總元素碳(TEC)。為這些參數(shù)提供了快速、準確和高靈敏度的分析,廣泛應用于土壤&植物、淤泥&沉積物、固體廢物、和肥料等領(lǐng)域。


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        土壤的碳(有機碳)和氮比率(C/N比)非常重要,氮是植物生長的主要元素,碳對土壤結(jié)構(gòu)非常重要,對生物過程中的能量和營養(yǎng)供給相當重要。C/N比是衡量植物和其它生物"氮饑餓"的指標。


      對于廢物樣品如淤泥,氮和碳的分析對污染物的控制均相當重要。氨氮、硝氮、亞硝氮和其它含氮化合物,均可提供營養(yǎng)源并導致水中生物體繁殖帶來的問題。PrimacsSNC-100可該領(lǐng)域氮和碳提供快速和準確的測定。


       肥料的總氮和有機質(zhì)是肥料品質(zhì)的關(guān)鍵指標,傳統(tǒng)的分析方法耗時長、過程繁瑣、占用大量人力物力。PrimacsSNC-100是肥料的總氮和有機質(zhì)的全自動分析理想的工具。


       PrimacsSNC-100是靈活的固體/液體樣品分析儀,內(nèi)置100位自動進樣器用于測定氮(N)/蛋白質(zhì),總碳(TC),總有機碳(TIC)總無機碳(TIC)和總有機碳(TOC),總元素碳(TEC)。為這些參數(shù)提供了快速、準確和高靈敏度的分析,廣泛應用于土壤&植物、淤泥&沉積物、固體廢物、和肥料等領(lǐng)域。PrimacsSNC-100內(nèi)置100位大容量計算機控制隨機取樣器,可一次分析大批量樣品。取樣器具有可拆卸的樣品盤,采用可反復使用的陶瓷坩堝,稱重量可達3g固體樣品或2.0ml液體樣品。樣品采用垂直進樣的方式,樣品灰分在分析完后會保留在坩堝中自動排出,避免樣品灰分堆積在燃燒區(qū),無須維護。坩堝直接進樣的方式無須采用錫紙包裹和進行樣品壓膜的前處理,減少了繁瑣的樣品前處理過程和降低了運行成本。


       分析儀也可按照DIN19539標準、采用梯度升溫的方式在不同溫度下測量TOC, TEC和TIC,采用高溫燃燒和非分散紅外檢測(NDIR)法,通過可調(diào)的溫度設(shè)定和梯度升溫程序在特定溫度條件下可分析總元素碳(TEC, 按照DIN19539標準也稱為可殘留的氧化碳)。TN的分析基于杜馬斯燃燒和熱導(TCD)檢測法,杜馬斯技術(shù)分析TN比較傳統(tǒng)的凱氏定氮法分析速度更快、更安全和不污染環(huán)境。通過自動加酸和吹掃也可自動分析TIC。

 

內(nèi)置溫度穩(wěn)定控制系統(tǒng),消除室溫變化的影響。

  具有自動控制系統(tǒng),用于系統(tǒng)的檢查氣流和壓力

系統(tǒng)通過靈活的軟件控制,帶有預置的方法文件,用戶可編輯的樣品表格和QC數(shù)據(jù)處理功能。

分析項目:總氮/蛋白質(zhì),總碳,總有機碳(有機質(zhì)),無機碳,元素碳(可選)

應用:土壤、植物、固廢、化肥、底泥、沉積物和污水處理


型號名稱:燃燒法全自動碳氮分析儀


● 分析項目:總氮/總碳/有機碳/無機碳/元素碳
● 方法:TN采用高溫燃燒-TCD檢測;TC采用高溫燃燒-NDIR檢測;TIC采用酸化氣體吹掃法;TIC-TEC-TOC分析采用在不同溫度分布區(qū)燃燒測試
● 分析范圍:碳: 0.01-500mg C絕對值;氮: 0.01-200mg N絕對值
● 測量范圍:0.01-100 %*
● 檢測限:< 0.01% (< 100 ppm) 
● 樣品重量:最大3g或液體樣品體積2ml
● 精密度:氮?0.5 % RSD 碳< 1 % RSD
● 數(shù)據(jù)處理:面積計算(多點線性回歸),天平接口數(shù)據(jù)自動錄入,原始數(shù)據(jù)儲存和可連接至LIMS
● 自動取樣器:100樣品位自動取樣器
● 進樣方式:由下至上的垂直進樣系統(tǒng)
● 儀器特點:天平接口數(shù)據(jù)自動錄入接口
● 反吹系統(tǒng)可防止環(huán)境因素的干擾,用于低含量樣品檢測
● 可反復使用的坩堝
● 內(nèi)置顯示器,顯示給部分溫度?流量?壓力?儀器工作狀態(tài)等參數(shù)
● 三級脫水系統(tǒng)完全消除水份的干擾,降低運行成本,可直接分析液體樣品
● 精密的氣體分流裝置降低還原劑的損耗
● 垂直進樣系統(tǒng)消除環(huán)境因素影響,無需使用樣品錫紙,降低運行成本
● 氣體: He(≧99.99%);O2(≧99.995%)
● 反應爐溫度:燃燒氧化爐:1200℃/600℃/400℃,氧化/還原爐:750℃/ 600℃;IC反應爐:150℃